EVSTDRIVEG600DG。
STMicroelectronics的 STDRIVEG600 是用于增強型 GaN FET 或 N 溝道功率 MOSFET 的單芯片半橋柵極驅動器。高側部分設計用于承受最高 600 V 的電壓。它適用于總線電壓最高 500 V 的應用。由于具有大電流能力和典型條件下 45 ns 的短傳播延遲以及低至 5 V 的工作電壓，STDRIVEG600 可以驅動高速硅和 GaN FET。 dV/dt 抗擾度很高：±200 V/ns。STDRIVEG600 是一款強大的驅動器，在下部和上部驅動部分具有過熱保護和 UVLO 功能，可防止電源開關在低效率或危險條件下工作。
聯鎖功能可避免跨導狀況。邏輯輸入與 CMOS/TTL 兼容，最低 3.3 V，便于與微控制器和 DSP 連接。另外，還提供用于關斷功能的專用引腳。封裝是 SO16。STDRIVEG600 可提供封裝零件（PN 為 STDRIVEG600）和適合用于分切行業的晶圓（PN 為 STDRIVEG600w）。
特性 電源電壓 600 V 最高 20 V 柵極驅動器 5.5 A / 6 A 灌電流/拉電流 45 ns 短傳播延遲 陰極負載二極管自舉二極管 單獨的 ON-OFF 輸出，便于柵極驅動調整 3.3 V / 5 V 邏輯輸入 VCC和 VBOOT 的 UVLO 熱關斷 聯鎖功能 關斷引腳 SO16 封裝
