產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 9.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 380 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 86 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 9.3 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Smps MOSFET
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 7.5 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
我司擁有多年的廠家配套經驗,承接各類客戶生產需求的采購貨單配套,誠實守信,歡迎來電咨詢!我們都以100%的熱情為您真誠服務。
LM136AH-2.5/NOPB TI
LM136AH-2.5Q TI
LM136AH-5.0/883 TI
LM136AH-5.0/NOPB TI
LM136H-2.5/NOPB TI
LM136H-5.0/883 TI
LM136H-5.0/NOPB TI
LM13700M TI
LM13700M/NOPB TI
LM13700MX TI
LM13700MX/NOPB TI
LM13700N TI
LM2587S-ADJ TI
LM2587SX-ADJ TI
LM2587SX-ADJ/NOPB TI
LM2587T-ADJ TI
LM2588SX-ADJ TI
LM258A TI
LM258AD TI
LM258ADGKR TI
LM258ADMREP TI
LM258ADR TI
LM258ADRG4 TI
LM258ADT TI
LM258AMDR TI
LM258AMX TI
LM258AN TI
LM258AP TI
LM258APT TI
LM2902DR TI
LM2902DR2G TI
LM2902DR4G TI
LM2902DRG4 TI
LM2902DT TI
LM2902IPWRHE TI
LM2902KAVMDREP TI
LM2902KAVQDR TI
LM2902KAVQDRDL TI
LM2902KAVQDRG4Q1 TI
LM2902KAVQDRQ1 TI
LM2902KAVQPW TI
LM2902KAVQPWR TI
LM2902KAVQPWREP TI
LM2902KAVQPWRG4 TI
LM2902KAVQPWRQ1 TI
LM2902KAVWMPWREP TI
LM2902KDR TI
LM2902KNSR TI
LM2902KPWR TI
LM2902KQDRQ1 TI