AD1021AARQZ_AD1893JST導讀

TPS62840的低IQ可以在1-?A的負載下實現80%的效率，比業界同類器件高出30%。·更長的電池使用壽命和極高的輕載效率：較低的IQ消耗可為負載極輕(低于100?A)以及主要在待機/出廠模式(不切換)下工作的系統提供更長的電池壽命。。

充電器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市場約兩倍。新型降壓-升壓型充電器可幫助工程師減小解決方案尺寸和物料清單（BOM），是TI個完全集成下述組件的器件：。

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AD1881AJST-REEL

AD1380KD AD1380KD AD1380KD/JD AD1382KD AD1382KD AD1385JD 。

AD1580BRTZ-REEL7 AD1580BRTZ-REEL7 AD1580BRTZ-REEL7 AD1580BRTZ-REEL7/AD1580BRT AD1582ART 。

AD1580ART-REEL7 AD1580ART-RL7 AD1580ARTZ AD1580ARTZ AD1580ARTZ-REEL 。

相比4G，5G在初始階段就明確規劃了三大應用場景：增強移動廣帶，其峰值速率將是4G網絡的10倍以上；海量機器通信，將實現從消費到生產的全環節、從人到物的全場景覆蓋；超高可靠低時延通信，通信響應速度將降至毫秒級。。但5G不止于手機，在萬物互聯時代，必須提前搭建好一條條高速路，5G因此無可爭議地成為新基建之首。

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AD22303

AD1583BRTZ-RL7 AD1583CRT-REEL7 AD1583CRT-RL7 AD1583CRTZ AD1583CRTZ 。

AD1032AR AD1032AR AD1032AR AD1032AR AD1062KN 。

AD1201BRZ AD1210BRZ AD1251ARZ AD1332BD AD1334BD 。

AD1584ART-RELL7 AD1584ARTZ AD1584ARTZ AD1584ARTZ-R2 AD1584ARTZ-REEL7 。

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因為只是邊緣部分跟底下substrate接觸，這種結構在受到壓力時相對脆弱，而且跟membrane type類似，散熱問題同樣需要關注。Airgap type在制作壓電層之前沉積一個輔助層(sacrificial support layer)，最后再把輔助層去掉，在震蕩結構下方形成air gap。

TI新推出的搭載?BAW技術的最新款SimpleLink?多重標準MCU可集成到低功率無線射頻設備中，例如低功耗無晶體藍牙和Zigbee?技術，從而減少由外部晶體引起的無線射頻故障。

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