制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-FET-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 5.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.3 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Dual
下降時間: 15 ns, 15 ns
正向跨導 - 最小值: 20 S, 20 S
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns, 26 ns
系列: CSD85301Q2
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 14 ns, 14 ns
典型接通延遲時間: 6 ns, 6 ns
寬度: 2 mm
單位重量: 9.700 mg