製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 50 A
Rds On - 漏-源電阻: 5.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 98 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 69 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 16 ns
互導 - 最小值: 47 S
高度: 1.04 mm
長度: 6.15 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
系列: SI7
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 58 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: SI7149DP-GE3
每件重量: 506.600 mg