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SISS10ADN-T1-GE3

發布時間:2021/11/15 15:28:00 訪問次數:202 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 31.7 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.65 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 61 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 56.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 5 ns
互導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
每件重量: 1 g



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