不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 26 weeks
風險等級 1.78
Samacsys Description INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - MOSFET, N-CH, 80V, 300A, PG-HSOF-8
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等級（Eas） 817 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 80 V
最大漏極電流 (ID) 52 A
最大漏源導通電阻 0.0012 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-F2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 1200 A
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
