產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 760 mA
Rds On-漏源導通電阻: 600 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 3.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 16 ns
正向跨導 - 最小值: 0.44 S
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.2 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 1.3 mm
零件號別名: IRLML5103TRPBF SP001572946
單位重量: 8 mg

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

LM2902VQDR TI
LM2902VQDRQ1-S TI
LM2903 TI
LM2903AVQDR TI
LM2903AVQDRG4Q1 TI
LM2903AVQDRQ1 TI
LM2903AVQPWR TI
LM2903AVQPWRG4 TI
LM2903AVQPWRG4Q1 TI
LM2903AVQPWRQ1 TI
LM2903D TI
LM2903DGK TI
LM2903DGKR TI
LM2903DGKRG4 TI
LM2903DR TI
LM2903DR2G TI
LM2903DRG3 TI
LM2903DRG4 TI
LM2903DT TI
LM2903GKR TI
LM2903IDRDL TI
LM2903ITL/NOPB TI
LM339DB TI
LM339DBR TI
LM339DG TI
LM339DR TI
LM339DR2G TI
LM339DRG3 TI
LM339DRG4 TI
LM339DT TI
LM339EDT TI
LM339IDR TI
LM339J TI
LM339M TI
LM339M/NOPB TI
LM339MX/NOPB TI
LM339N TI
LM339NS-A TI
LM339NSR TI
LM339NSRG4 TI
LM339P TI
LM3S1R26-IQR80-C3 TI
LM3S1Z16-IQR50-C3 TI
LM3S2016-IQC50-A2 TI
LM3S2093 TI
LM3S2110-IQC25-A2 TI
LM3S2139-IQC25-A2 TI
LM3S2412-IQC25-A2 TI
LM3S2432-IQC50-A2 TI
LM3S2608-IQC50-A2 TI