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制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 48 ns
高度: 15.75 mm
長度: 10.4 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 61 ns
系列: STP110N8F6
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 162 ns
典型接通延遲時間: 24 ns
寬度: 4.6 mm
單位重量: 2 g

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