BSC265N10LSF G製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 21 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 78 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 4 ns
互導 - 最小值: 21 S
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
系列: OptiMOS 2
原廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: BSC265N1LSFGXT SP000379618 BSC265N10LSFGATMA1
每件重量: 100 mg