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制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1300 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
柵極/發射極最大電壓: 25 V
在25 C的連續集電極電流: 55 A
Pd-功率耗散: 180 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: STGW38IH130D
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
集電極連續電流: 55 A
柵極—射極漏泄電流: +/- 100 nA
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
產品類型: IGBT Transistors
30
子類別: IGBTs
寬度: 5.15 mm
單位重量: 6.500 g

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