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IRF540NPBF

發布時間:2021/11/23 10:11:00 訪問次數:121 發布企業:深圳市百潤電子有限公司

IRF540NPBF

制造商: Infineon

封裝: Tube

商標: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET

安裝風格: Through Hole

產品種類: MOSFET

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 47.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRF540NPBF SP001561906

單位重量: 2 g






IRF540NPBF IR

SI2308BDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY
SI2312BDS-T1-E3 VISHAY
SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY
SI2312CDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY
SI2318CDS-T1-GE3 Vishay
SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY
SI2319DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3 VISHAY
SI2323DS-T1-GE3 VISHAY
SI2325DS-T1-GE3 VISHAY
SI2328DS-T1-E3
SI2329DS-T1-GE3 Vishay
SI2333CDS-T1-GE3 (VISHAY)
Si2333DDS vishay
Si2333DDS MOSFET Vishay
SI2333DDS-T1-GE3 VIS
SI2333DS VISHAY
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SI2343DS VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3
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SI3019-F-FSR SILICON
SI3050-E-FTR SILICON
SI3201-FSR SILICON
SI3210-FTR SILICON
SI32176-B-FM1 SILICON
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SI3402-B-GMR SILICON
SI3430DV-T1-E3 VISHAY
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