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AT49BV040B-JU ： NOR閃存芯片。原裝現貨。
特征
• 用于讀取和寫入的單電源：2.7V 至 5.5V
• 快速讀取訪問時間 – 70 ns（VCC = 2.7V 至 3.6V）； 55 ns（VCC = 4.5V 至 5.5V）
• 內部程序控制和定時器
• 靈活的部門架構
– 一個帶有編程鎖定的 16K 字節引導扇區
– 兩個 8K 字節的參數扇區
– 八個主內存扇區（一個 32K 字節，七個 64K 字節）
• 快速擦除周期時間 – 8 秒
• 逐字節編程——典型值為 10 μs/字節
• 硬件數據保護
• 用于程序結束檢測的數據輪詢或切換位
• 低功耗
– 20 mA 有源電流
– VCC = 2.7V 至 3.6V 的 25 μA CMOS 待機電流
– VCC = 4.5V 至 5.5V 的 30 μA CMOS 待機電流
• 最少 100,000 個寫周期
1. 說明
AT49BV040B 是一款 2.7V 至 5.5V 的系統內可重編程閃存。它的
4 兆位內存按 8 位組織為 524,288 個字。制造與
Atmel 先進的非易失性 CMOS 技術，該設備提供了一個訪問時間
70 ns（VCC = 2.7V 至 3.6V）和 55 ns 的訪問時間（VCC = 4.5V 至 5.5V）。這
VCC = 2.7V 至 3.6V 的工業溫度范圍內的功耗為 72
mW，VCC = 4.5V 至 5.5V 時為 110 mW。
當器件被取消選擇時，CMOS 待機電流小于 30 μA。到
允許簡單的系統內重新編程，AT49BV040B 不需要高
用于編程的輸入電壓。從設備讀取數據類似于讀取
來自 EPROM；它具有標準 CE、OE 和 WE 輸入以避免總線爭用。
對 AT49BV040B 的重新編程是通過擦除一個數據扇區然后
逐字節編程。字節編程時間為 10 μs。這
編程或擦除周期的結束可以通過 DATA 輪詢或
切換位功能。一旦檢測到一個字節程序周期的結束，一個新的
可以開始讀取或程序訪問。典型的編程和擦除次數
循環次數超過 100,000 次。
通過執行芯片擦除或扇區擦除命令序列來擦除設備；
設備內部控制擦除操作。內存數組
AT49BV040B 被組織成兩個 8K 字節的參數扇區，八個主存儲器
扇區和一個引導扇區。
設備具有保護引導扇區數據的能力；這個功能是
由命令序列啟用。 16K 字節的引導扇區包括重新編程鎖定功能以提供數據完整性。引導扇區旨在包含
用戶安全代碼，當啟用該功能時，引導扇區將受到永久保護，不會被重新編程。
