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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 69 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 99 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

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