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IRG4BC30KDPBF

發布時間:2021/11/30 10:38:00 訪問次數:176

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2.21 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 28 A
Pd-功率耗散: 100 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
集電極最大連續電流 Ic: 28 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 8.77 mm
長度: 10.54 mm
產品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
寬度: 4.69 mm
零件號別名: SP001532644
單位重量: 6 g

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