FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
20A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
190 毫歐 @ 7.6A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
4.6V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值)
34 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
1935 pF @ 100 V
FET 功能
標準
功率耗散(最大值)
32W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220F
封裝/外殼
TO-220-3 整包
158集深度感知能力、SLAM實時跟AOTF190A60L蹤建圖引擎、實時高精度/穩定跟蹤等亮點于一身,具體來看包括從0.3米到6米的感知范圍可以實現1%的深度精度誤差AOTF190A60L,分4000上通辨率高達1280x800,幀率可達60fps,還可以達到水平方向66°垂直方向44°的視場角,可滿足市AOTF190A60L面上絕大部分的客戶4000上通對深度的要求;高精4000上通的實時建圖和回歸能力,支持120fps的2路攝像頭,6AOTF190A60L自由度坐標的重定位,結合魚眼攝像頭跟蹤模組,可以實現實時高精度的穩定跟蹤方面采用雙魚眼攝像頭結構設計,AOTF190A60L視場角高AOTF190A60L達166.5°,板載六軸傳感器,采樣率高達100fps,高達6TOPS的綜合運算能力,能夠給用戶提供非常AOTF190A60L靈活的配置,在不同的應用場景下用不同的AI引擎來進行計算或控制。同時在NU4000上通用CPU核采用ARM
Cortex A5架構,AOTF190A60L工作頻率高達1.2GHz,支持嵌入式Linux操作系統,支持LPDDR4內存;
AOTF190A60L
發布時間:2021/11/30 14:36:00 訪問次數:188
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