N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二極管 (HiPerFET™)
MOSFET 晶體管，IXYS
興科泰原裝現貨供應，IXYS全系列 MOS管 優勢供應
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
產品技術參數 屬性 數值IXFK27N80Q 通道類型 N
IXFK27N80Q 最大連續漏極電流 27 A
IXFK27N80Q 最大漏源電壓 800 V
IXFK27N80Q 封裝類型 TO-264AA
IXFK27N80Q 安裝類型 通孔
IXFK27N80Q 引腳數目 3
IXFK27N80Q 最大漏源電阻值 320 mΩ
IXFK27N80Q 通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
最大功率耗散 500 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
系列 HiperFET, Q-Class
最低工作溫度 -55 °C
寬度 5.13mm
典型柵極電荷@Vgs 170 nC @ 10 V
長度 19.96mm
最高工作溫度 +150 °C
高度 26.16mm
晶體管材料 Si
