產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 21 A
Rds On-漏源導通電阻: 82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 95 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 38 ns
正向跨導 - 最小值: 17 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 32 ns
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
我司擁有多年的廠家配套經驗,承接各類客戶生產需求的采購貨單配套,誠實守信,歡迎來電咨詢!我們都以100%的熱情為您真誠服務。
SN65LVDS122PW TI
SN65LVDS122PWR TI
SN65LVDS125ADB TI
SN65LVDS125ADBT TI
SN65LVDS125ADBTR TI
SN65LVDS150PW TI
SN65LVDS151 TI
SN65LVDS151DAR TI
SN65LVDS152AD TI
SN65LVDS16DRFR TI
SN65LVDS179D TI
SN65LVDS179DGK TI
SN65LVDS179DGKR TI
SN65LVDS179DGKRG4 TI
SN65LVDS179DR TI
SN65LVDS179MDGKREP TI
SN65LVDS17DRFR TI
SN65LVDS17DRFT TI
SN65LVDS180DR TI
SN65LVDS180IPWRAN TI
SN65LVDS180PWR TI
SN65LVDS180PWRQ1 TI
SN65LVDS180QDR TI
SN65LVDS1D TI
SN65LVDS1DBVR TI
SN65LVDS1DBVRG4 TI
SN65LVDS1DBVT TI
SN65LVDS1DR TI
SN65LVDS1YDBVR TI
SN65LVDS1YDBVTG4 TI
SN65LVDS20DRFR TI
SN65LVDS22D TI
SN65LVDS22DR TI
SN65LVDS22PWR TI
SN65LVDS250DBT TI
SN65LVDS250DBTR TI
SN65LVDS2DBVR TI
SN65LVDS2DBVRG4 TI
SN65LVDS2DBVT TI
SN65LVDS2DR TI
SN65LVDS2DRG4 TI
SN65LVDS2DVBR TI
SN65LVDS301ZQE TI
SN65LVDS301ZQER TI
SN65LVDS302ZQE TI
SN65LVDS302ZQER TI
SN65LVDS305ZQER G4 TI
SN65LVDS307ZQCR TI
SN65LVDS308ZQCR TI
SN65LVDS311YFFR TI