制造商: Infineon
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 4.5 ns
產品種類: MOSFET
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 20.7 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 87 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
通道模式: Enhancement
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: CoolMOS C3
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 67 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 5.21 mm
零件號別名: SP000013729 SPW2N6C3XK SPW20N60C3FKSA1
單位重量: 6 g
SPW20N60C3 Infineon
20D561/ZOV 國產
20D561/ZOV GC
20D561/ZOV 國產
204-10SUGD/S400-A5 EVERLIGHT
200R-2W-5% GC
200K-2W-5% GC
200K-1/4W-5% 國產
200K/2W 國產
2.EDG5.08-2PL KF
2.7k / 1W / 1% 國產
2.54座2*40 國產
2.54mm-10 國產
2.54mm 1*40P GC
2.54mm GC
2.54mm GC
2.54-2*40P GC
2.542*40，21mm 國產
2.54-2*10P 國產
2.54-1*5P GC
2.54-1*40P GC
2.54-1*2P JL
2.54-1*2P 國產
2.54-1*17P GC
2.54*40P 國產
2.45-1*40P
2.2uH，20%，4A，4*4*2mm 國產
2.0MM2*10P 國產
2.0mm。2*7p GC
2.0mm 國產
2.0-2*9P GC
2.0-2*40P GC
2.0-1*40P 國產
2.0-1*20P GC
2.00MM -20P 國產
2.00-2*10P 國產
2*20P/1.27 國產
1W1K
1W10R 5% GC
1W10R
1SS355 CJ
1SMB5922BT3G ON
1SMB5921BT3G ON
1SMB5921BT3G ON
1SMA6.0AT3G TS
1SMA6.0AT3G TS
1SMA5935BT3G ON
1SMA5918BT3G ON
1SMA5913BT3G ON
1nH 0603±5% GC
1nf/400V GC
1N5822 國產
1N5822 國產
1N5819HW-7-F DIODES
1N5819HW DIODES
1N5819 先科
1N5819 MIC
1N5404 MIC
1N5256 ST
1N5256 ST
1N5256 ST
1N5256 ST
1N4756 先科
1N4744 GC
1N4742A ST
1N4742A ST
1N4742 ST
1N4740A ST
1N4740A 先科
1N4740A 先科
1N4148WS ST
1N4148WS ST
1N4148WS CJ
1N4148W-7-F DIODES
1N4148（LL4148) 先科
1N4148 (W2) ST
1N4148 GC
1N4148 ST
1N4148 ST
1N4148 ST
1N4148 先科
1N4148 先科
1N4148 先科
1N4148 GC
1N4007(M7) 國產
1N4007 MIC
1N4007 TOS
1N4007 MIC
1N4007 國產
1N4007 MIC
1N4007 國產
1N4007 ST
1N4007 國產
1N4007 國產
1N4007 GC
1N4007 MIC
1N4007 ST
1N4007 國產
1N4007 TOS
1N4007 GC
1N4007 GC
