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發布時間:2021/12/6 15:41:00 訪問次數:164 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司

Infineon 的 IGBT7 具有更低靜態損耗、更高功率密度和更軟的開關,從而大幅提升功率密度。

6ED2230S12TXUMA1, FP100R12W3T7B11BPSA1, EVAL1ED3124MX12HTOBO1, EVALM16ED2230B1TOBO1。

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 的圖片Infineon為變速驅動器設計了 TRENCHSTOP™ IGBT7,以促進從礦物燃料發電向綠色發電的轉換。通過將允許的最大芯片工作溫度提高到 +175°C,實現靜態損耗降低、功率密度提升和切換軟化,從而大幅提升功率密度。

每個開關都需要一個驅動程序,有合適的驅動程序會大不一樣。Infineon 隨 TRENCHSTOP IGBT7 還提供 EiceDRIVER™ 柵極驅動器 IC,包括低側驅動器、電平移位驅動器和隔離驅動器。EiceDRIVER 系列提供了廣泛的輸出電流選項(從 0.1 A 到 14 A)以及不同的保護功能,如 DESAT、米勒鉗位、OCP、停機、集成陰極負載二極管和隔離。

特性 過載能力: TRENCHSTOP IGBT7 允許在 TVJOP=+175°C 的溫度下過載運行。這符合僅短期需要大電流和高溫的驅動器應用中的典型要求 低導通電壓: 與 IGBT4 相比,TRENCHSTOP IGBT7 的導通電壓降低了約 20%。這大大降低了目標應用的損耗,特別是通常以中等開關頻率運行的工業驅動器的損耗,這對于提高功率密度和使用壽命至關重要 增強可控性: TRENCHSTOP IGBT7 提供了高水平可控制性,以匹配電動機絕緣要求或 EMI 限制,防止最終導致線圈絕緣損壞的任何電弧放電。可控制性對應的是器件通過調節柵極電阻 (RG) 的值來改變 dV/dt 的能力,從而可簡化設計導入階段。 二極管改進: 相對于上一代 EC4,EC7 發射極控制的二極管將正向電壓降低了 100 mV。這也降低了反向恢復損耗并提高了柔軟度,從而有利于逆變器的 EMI 表現。 功率增加: 與前一代 IGBT 相比,在相同的框架尺寸下,同類最佳的 EconoDUAL™ 3 模塊可提供高出 50% 的輸出電流。較高的功率密度有助于避免需要并聯 IGBT 模塊的情形,從而簡化了逆變器設計并降低了成本 框架尺寸的飛躍: Easy 1B 和 2B 與上一代 IGBT4 引腳兼容,可以即插即用替換。用 IGBT7 解決方案替換 TRENCHSTOP IGBT4 后,在相同的外殼和相同的系統冷卻下,輸出電流要高出 30%。對于相同的輸出電流,后者可以減少 40% 的體積,或者第三種選擇是通過使用較小的外殼并結合 11% 的輸出功率增幅來實現機架尺寸的飛躍 低損耗 在給定的 dV/dt 限值下的傳導損耗顯著降低。此外,二極管損耗也減少了,從而使總體功率損耗降低了 15% 優化驅動: CGE 和 CGC 平衡,讓 IGBT7 完全控制 d/dt,并優化開關波形。CGE 的設計避免了寄生導通效應,可以采用零電壓關斷電源(單極柵極驅動器電源

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