產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 56 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.5 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 21 ns
正向跨導 - 最小值: 14 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 38 ns
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Smps MOSFET
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

SN74CBTLV3245APWR TI
SN74CBTLV3245ARGYR TI
SN74CBTLV3245AZQNR TI
SN74CBTLV3245DBR TI
SN74CBTLV3245DBRG4 TI
SN74CBTLV3245DGVR TI
SN74CBTLV3245PWR TI
SN74CBTLV3245ZQNR TI
SN74CBTLV3251D TI
SN74CBTLV3251DBQR TI
SN74CBTLV3251DR TI
SN74CBTLV3251PWR TI
SN74CBTLV3251RGYR TI
SN74CBTLV3253DBQR TI
SN74CBTLV3253DBQRG4 TI
SN74CBTLV3253DGVR TI
SN74CBTLV3253DR TI
SN74CBTLV3253PWR TI
SN74CBTLV3253PWRG4 TI
SN74CBTLV3253RGYR TI
SN74CBTLV3257DBQR TI
SN74CBTLV3257DGVR TI
SN74CBTLV3257DR TI
SN74CBTLV3257PW TI
SN74CBTLV3257PWR TI
SN74CBTLV3257RGY TI
SN74CBTLV3257RGYR TI
SN74CBTLV3257RSVR TI
SN74CBTLV325DGVR TI
SN74CBTLV3383DBQR TI
SN74CBTLV3383DGGR TI
SN74CBTLV3383DGVR TI
SN74CBTLV3383PW TI
SN74CBTLV3383PWR TI
SN74CBTLV3384DBQR TI
SN74CBTLV3384DGVR TI
SN74CBTLV3384DGVRG4 TI
SN74CBTLV3384DW TI
SN74CBTLV3384PW TI
SN74CBTLV3384PWR TI
SN74CBTLV3857DBQR TI
SN74CBTLV3861DBQR TI
SN74CBTLV3861DGVR TI
SN74CBTLV3861DWRG4 TI
SN74CBTLV3861PWR TI
SN74CBTR16861DGGR TI
SN74CBTR16861DGVR TI
SN74CBTS16212DGGR TI
SN74CBTS3306DR TI
SN74CBTS3306DR SOP8 TI