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IXFH36N60X3

發布時間:2021/12/8 18:18:00 訪問次數:157 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司


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IXYS 的 X3 級 N 溝道 MOSFET 提供低導通電阻 [RDS(ON)] 和柵極電荷 (Qg)


IXYS 的 600 V 超結 X3 HiPerFET™ 分立式 MOSFET 圖片IXYS是 Littelfuse 的一項技術,提供 N 溝道超結 MOSFET,可提供出色的品質因數(RDS(ON)乘以 Qg),可轉化為最低的導通和開關損耗,從而實現更高的功率密度和能源效率系統。最新的超結 X3 級功率 MOSFET 具有顯著降低的溝道電阻 RDS(ON)和柵極電荷 Qg。該系列的品質因數(FOM) – RDS(ON)x Qg顯著降低與其前身 X2-Class 相比。這些優勢使設計人員能夠實現更高的效率和更高的功率密度。此 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 具有體二極管,可提供低反向恢復電荷 (QRM) 和短反向恢復時間 (trr)。超結、X3 級 600 V MOSFET 可用于包括電信電源同步整流、電機控制、不間斷電源、DC-DC 轉換器、太陽能逆變器和多電平逆變器的應用。

特征 低導通電阻 [RDS(ON)] 和柵極電荷 (Qg) 快軟恢復體二極管 dv/dt 堅固性 卓越的雪崩能力 國際標準套餐 應用 輕型電動汽車電池充電器 開關同步整流 電源 電機控制 DC-DC轉換器 不間斷電源 (UPS) 電動叉車 D 類音頻放大器 電信系統

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