產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 46 A
Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 380 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 450 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 69 ns
正向跨導 - 最小值: 21 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 170 ns
系列: IRFPS
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
單位重量: 6 g

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

SN74HC251DBR TI
SN74HC251DR TI
SN74HC251N TI
SN74HC251PWR TI
SN74HC253 TI
SN74HC253DBR TI
SN74HC253DR TI
SN74HC253N TI
SN74HC257ANSR TI
SN74HC257DBR TI
SN74HC257DR TI
SN74HC257N TI
SN74HC257NS TI
SN74HC257PWR TI
SN74HC258DR TI
SN74HC258N TI
SN74HC259AN TI
SN74HC259DR TI
SN74HC259N TI
SN74HC259PWR TI
SN74HC259PWRG4 TI
SN74HC266ANS TI
SN74HC266ANSR TI
SN74HC266N TI
SN74HC273 TI
SN74HC273A TI
SN74HC273D TI
SN74HC273DB TI
SN74HC273DBLE TI
SN74HC273DW TI
SN74HC273DWR TI
SN74HC273N TI
SN74HC273NE4 TI
SN74HC273NS TI
SN74HC273NSR TI
SN74HC273PW TI
SN74HC273PWR TI
SN74HC273PWRG4 TI
SN74HC27ANSR TI
SN74HC27DBR TI
SN74HC27DR TI
SN74HC27N TI
SN74HC27NS TI
SN74HC280BN TI
SN74HC280N TI
SN74HC283N TI
SN74HC30M TI
SN74HC30N TI
SN74HC30NS TI
SN74HC32ADBR TI