DMNH6021SPDQ-13製造商: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerDI5060-C-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 8.2 A
Rds On - 漏-源電阻: 15 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 20.1 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 2.8 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降時間: 5.4 ns, 5.4 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns, 6 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 14.2 ns, 14.2 ns
標準開啟延遲時間: 4.4 ns, 4.4 ns
每件重量: 116 mg