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IXYA20N120A4HV溝槽技術

發布時間:2021/12/20 15:30:00 訪問次數:107 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司

IXYS IGBT 使設計人員能夠并聯使用多個器件,以滿足高電流和低柵極電荷要求

IXYA20N120C4HV。

采用 GenX4TM 溝槽技術的 IXYS IGBT 圖像IXYS是Littelfuse旗下公司,其 IXYA20N120_4HV 系列 IGBT 使用專有的 XPT™ 薄晶圓技術和最新的第四代 (GenX4) 溝槽 IGBT 工藝開發的。這些 1200 V 器件具有低熱阻、低能量損耗、快速開關、低尾電流和高電流密度等特點。正集射電壓溫度系數使設計師能夠并聯使用多個器件,以滿足高電流和低柵極電荷數要求,從而有助于減少柵極驅動要求和開關損耗。它們以 TO-263HV 封裝提供 A、B 和 C 三種不同的開關類別。

特性 高功率密度 低柵極驅動要求 正 VCE(sat)熱系數 應用 電源逆變器 UPS 系統 電機驅動 SMPS 電池充電器 焊機 燈具鎮流器


分立式 IGBT 產品組合

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