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ROHM Semiconductor串行 EEPROM 是非易失性存儲器,具有為數據保留而優化的雙電池結構。該汽車 EEPROM 的寫周期高達 1 M,并具有長達 40 年的數據保留能力。它們提供一系列接口,包括微細線、I2C 和串行外圍接口 (SPI) 總線。存儲容量最高可提供 1 Mbit 的密度,并提供各種表面貼裝封裝。
特性 提供 Microwire、I2C 和 SPI 總線接口 AEC-Q100 高達 1 Mbit 的密度 超過一百萬個寫周期 數據保存期超過 40 年 雙電池結構 應用 汽車導航 車身 ECU 天窗 電動窗 群集 動力系統