所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。它們的各種開關動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。
這要從MOS的工藝和結構說起，不管是MOS還是二極管，都是由半導體材料構成，我們都知道二極管是由一對PN結構成，見下圖，P型區對應二極管的陽極，N型區對應二極管的負極。
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0402270R5%
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
04023.3K1% 04023.6K5% 040233R5% 0402470K5% 040247K1% 。
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1.5KA27AHE3/54
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。
使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。
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