除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。
我們回過頭看下MOS結構，從下圖(1)可以看出，MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2，SiO2不導電，所以驅動極G基本不走電流，因此MOS功耗比較低，是電壓型驅動器件。
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0603330R5%
036N04L 0372BDP1 0372DP1 03N60C3 03P2J-T1 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
04023.3K1% 04023.6K5% 040233R5% 0402470K5% 040247K1% 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
03P2J-T1-AZ_03P2J-T1-AZ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
06N60
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
03P2J-T1-AZ 03P2M 03P2M-T 03P4J-T1 03P4J-T2 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。
03P2J-T1-AZ_03P2J-T1-AZ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
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