MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和D間導電通路就形成。作為驅動部分的開關管，MOS管的主要被關注點是耐壓，耐流值以及開關速度。
所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。它們的各種開關動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。
049N03MS_049N03MS" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
1.5KA15A-E3/54
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
01N60J 02012.2R5% 020-354-901 020N03LS 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
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09N7
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。
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