Q3 級 HiPerFET™ 功率 MOSFET 提供了多種功率切換解決方案

IXFR32N100Q3， IXFK32N80Q3， IXFQ34N50P3， IXFK80N50Q3，IXFT15N100Q3，IXFK64N60Q3， IXFR15N100Q3， IXFK64N50Q3，IXFN82N60Q3，IXFT70N30Q3， IXFX24N100Q3， IXFN44N80Q3， IXFQ30N60X， IXFR64N50Q3，

IXFX48N60Q3， IXFX32N80Q3， IXFK32N100Q3， IXFX32N100Q3。

IXYS Corporation屬于LittelfuseTechnology，現推出 Q3 級 HiPerFET™ 功率 MOSFET 系列。此次推出的器件具有200 V - 1000 V 的額定漏源極電壓和10 A - 100 A 的額定漏極電流，兼具出色的功率切換性能、增強的器件穩健性和較高的能源效率，為最終客戶提供了廣泛的功率切換解決方案選擇。

Q3 級源自 IXYS/Littelfuse 最新 PolarHV 技術平臺，為市場提供了一種具備基準電氣和熱學特性的功率切換解決方案。這些器件融合并優化了低導通電阻 (Rdson) 和低柵極電荷 (Qg) 特性，從而顯著降低了器件的導電和切換損耗。此外，這些器件還具有較低的柵漏極電荷、輸出電容 (COSS) 和柵極電阻，從而通過更快的切換操作來降低切換損耗，并降低柵極驅動功耗。這些 MOSFET 的另一個關鍵優勢是高雪崩能量特性 (EAS)，這使得它們能夠輕松抵抗過壓。此外，由于低熱阻 (RTHJC)，這些器件有著出色的功耗能力以及簡化的熱設計。

使用 Q3 級 MOSFET 后，諸如 (HF) 等離子發生器、射頻 (RF) 切換模式電源和 HF DC-DC 轉換器等高頻切換應用都將從中受益。許多工業應用都能充分利用這些新產品所具有的超級切換性能、節能效果和抗噪能力，其中最顯著的例子就是用于等離子加熱、鋼板加熱、硬化和縫焊的工業電源。此外，提升的額定 dV/dt 和高雪崩能量特性也為工業高壓切換應用中所遭遇的壓力提供了更大的安全余量，從而改善這些系統的長期可靠性。

特性 低本征柵極電阻 低封裝電感 快速本征整流器 低 RDS(on)和低 Qg 應用 DC-DC 轉換器 電池充電器 開關模式和諧振模式電源 DC 斬波器 溫度和照明控制 資源 產品目錄