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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 540 mA
Rds On-漏源導通電阻: 346 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 1.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 24 ns
正向跨導 - 最小值: 600 mS
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
系列: BSS670S2
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
寬度: 1.3 mm
零件號別名: SP000928950 BSS67S2LH6327XT BSS670S2LH6327XTSA1
單位重量: 8 mg

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