產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 206 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 22 ns
正向跨導 - 最小值: 98 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
系列: OptiMOS 3
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 70 ns
典型接通延遲時間: 19 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP023NE7N3 G SP000641722
單位重量: 2 g

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

TPS73515QDRBRQ1 TI
TPS73518QDRBRQ1 TI
TPS73525DRBR TI
TPS73525DRBRG4 TI
TB3R1D TI
TB3R2D TI
TB3R2DR TI
TC8830AF TI
THS4120CDGK TI
THS4120CDGKR TI
THS4120CDGN TI
THS4120CDR TI
THS4120ID TI
THS4120IDGKR TI
THS4120IDGN TI
THS4120IDGNR TI
THS4120IDR TI
THS4121CDGK TI
THS4121CDGKR TI
THS4121CDGKRG4 TI
THS4121CDR TI
THS4121ID TI
THS4121IDGK TI
THS4121IDGKR TI
THS4121IDGN TI
THS4121IDGNR TI
THS4121IDR TI
THS4130CDGKR TI
THS4130CDGNR TI
THS4130CDR TI
THS4130ID TI
THS4130IDGKR TI
THS4130IDGNR TI
THS4130IDR TI
THS4131CDGKR TI
THS4131CDGNR TI
THS4131CDR TI
THS4131ID TI
THS4131IDG TI
THS4131IDGKR TI
THS4131IDGNR TI
THS4131IDR TI
THS4140CDGKR TI
THS4140CDGN TI
THS4140CDGNR TI
THS4140CDR TI
THS4140IDGKR TI
THS4140IDGN TI
THS4140IDGNR TI
THS4140IDR TI