今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰略，此后Intel開始了大規模的工廠擴建計劃，在美國、歐洲、亞洲等地區都會建晶圓制造及封測工廠，未來五年內產能提升30%，而且新工藝頻發。

今年9月份，Intel已經在亞利桑那州動工建設新的晶圓廠，投資高達200億美元，兩座工廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同，原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

在歐洲，Intel之前宣布了未來十年內有望投資1000億美元的龐大計劃，目前除了擴建愛爾蘭的晶圓廠之外，還有望在德國建設新的晶圓廠，在意大利建設新的封測廠，只不過現在還沒有正式公布，要到明年初才能決定。

前不久Intel還宣布在馬來西亞投資71億美元擴建封測廠，這里是Intel的芯片封測基地。

業界估計，Intel此番大舉擴張，預計在5年內，也就是2026年的時候產能將增長30%以上，有望追趕臺積電。

<Img src="https://fIle3.dzsc.com/web/21/12/28/140638668.png" alt="" style="margIn:20px auto;paddIng:0px;border-wIdth:InItIal;border-style:none;outlIne:0px;vertIcal-alIgn:mIddle;dIsplay:block;max-wIdth:600px;" />

除了產能提升之外，Intel的芯片工藝也會突飛猛進，從今年底的12代酷睿使用的Intel 7工藝開始，到2025年的四年里升級五代工藝——分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工藝還是基于FInFET晶體管的，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝。

至于后面的兩代工藝，20A首次進入埃米級時代，放棄FInFET晶體管，擁有兩項革命性技術，RIbbonFET就是類似三星的GAA環繞柵極晶體管，PoerVIa則首創取消晶圓前側的供電走線，改用后置供電，也可以優化信號傳輸。

20A工藝在2024年量產，2025年則會量產改進型的18A工藝，這次會首發下一代EUV光刻機，NA數值孔徑會從現在的0.33提升到0.55以上。