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制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 50 A
Pd-功率耗散: 349 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT4
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
高度: 20.95 mm
長度: 15.9 mm
產品類型: IGBT Transistors
30
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
寬度: 5.3 mm
零件號別名: IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
單位重量: 38 g

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