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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 52 A
Rds On-漏源導通電阻: 59 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 52 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 228 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolSiC
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 13 ns
正向跨導 - 最小值: 11.1 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
系列: IMW120RXM1
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: IMW120R045M1 SP001346254
單位重量: 6 g

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