IS43LQ32256A-062BLI。
ISSI的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低壓存儲器件，具有 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。這些器件被組織為每個器件 1/2 個通道，每通道 8 個存儲體 16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 使用雙倍傳輸速率架構來實現高速工作。這種雙倍傳輸速率架構本質上是 16N 預取架構，具有在 I/O 引腳上每時鐘周期傳輸兩個數據字的接口。
LPDDR4 和 LPDDR4X 具有完全同步的工作模式，以時鐘的上升沿和下降沿為基準。數據路徑是內部流水線式和 16N 位預取式，用于達到很高的帶寬。LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可編程實時猝發長度的可編程讀寫延遲。這些器件的低壓內核和 I/O 使它們成為移動應用的理想選擇。
特性 低電壓LPDDR4: 1.8 V LPDDR4X: 1.1 V 低壓 I/O
LPDDR4: 1.1 V LPDDR4X: 0.6 V 10 MHz 至 1600 MHz 頻率范圍 每個 I/O 傳輸速率 20 Mbps 至 3200 Mbps 16N 預取 DDR 架構 每個通道八個內部存儲體，用于并行工作 多路復用，雙倍傳輸速率，指令/地址輸入 移動功能可降低功耗 可編程的實時猝發長度（BL = 16 或 32） 可編程的讀寫延遲 片載溫度傳感器可實現有效的自刷新控制 ZQ 校準 可調驅動強度 局部陣列自刷新 (PASR) 10 mm x 14.5 mm BGA-200 封裝 時鐘頻率：1.6 GHz 內存格式：DRAM 內存接口：并行 內存類型：易失性 安裝類型：表面貼裝 工作溫度：-40°C 至 95°C (TC) 封裝/外殼：200-TFBGA 至 200-WFBGA 技術：SDRAM 移動版 LPDDR4 電源電壓：1.06 V 至 1.17 V，1.7 V 至 1.95 V 應用 移動計算 平板電腦
