Toshiba 的功率 MOSFET 可確保開關速度快，而不會影響 EMI 噪聲水平

TPH1R104PB,L1XHQ, TJ8S06M3L,LXHQ, TK25S06N1L,LXHQ, TJ15S06M3L,LXHQ,TK40S06N1L,LXHQ,TJ30S06M3L,LXHQ,XPN6R706NC,L1XHQ, TJ50S06M3L,LXHQ,

TJ60S06M3L,LXHQ, TK90S06N1L,LXHQ,TK33S10N1Z,LXHQ, TK55S10N1,LXHQ, XPW6R30ANB,L1XHQ, TK160F10N1,LXGQ.

Toshiba提供了廣泛的功率 MOSFET 產品陣容，涵蓋 12 V 至 48 V 電池系統中的各種汽車應用。同樣，性能和可靠性是其產品的基石。Toshiba 的所有汽車產品都超越了 AEC-Q101 標準。

更高的開關頻率搭配更高的功率要求器件的導通電阻較低，但同時要確保開關速度快而又不影響 EMI 噪聲水平。Toshiba 開發了先進的晶圓工藝來抑制開關噪聲，進一步改善了產品設計。

通過將先進的晶圓工藝與低電阻封裝技術相結合，可以實現業界極低的導通電阻。Toshiba 在其 MOSFET 中使用的銅連接器有助于實現極低的封裝電阻和電感。這種低電阻有助于減少能量損失和縮小應用尺寸。

引入可潤濕側翼封裝可實現更好的自動光學檢查 (AOI)，同時幫助提高焊錫芯吸附。此類改進有助于確保芯片在各種極端可靠性條件下都能正常使用。

特性 低導通電阻： VGS=10 V 時 RDS(ON)=0.74 mΩ（最大值）（采用 40 V WARP-TO-220SM(W) 封裝的 TKR74F04PB) VGS=10 V 時 RDS(ON)=3.3 mΩ（最大值）（采用 60 V DPAK+封裝的 TK90S06N1L) VGS=10 V 時 RDS(ON)=2.4 mΩ（最大值） （采用 100 V WARP-TO-220SM(W) 封裝的 TK160F10N1L) 使用小型表面貼裝封裝的 40 V、60 V、100 V P 溝道和 N 溝道 MOSFET 用于汽車應用 通過 AEC-Q101 標準鑒定 具有可潤濕側翼終端結構的 SOP Advance (WF)、TSON Advance (WF) 和 DSOP Advance (WF) 封裝 應用 汽車設備 電源 LED 前大燈 電機驅動 開關穩壓器 負載開關 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 的汽車產品可用作工程樣品。但是，未經 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 事先批準，它們不適用于批量汽車生產或可靠性測試。