MSQ220AJC288-10, MSQ220AJC288-12.
MoSys的 QUAZAR 系列存儲器是一系列高速存儲器大容量 IC，支持最高 640 Gb/s 的高帶寬以及快速隨機訪問速率。這些更快的速率有助于解決受制于存儲器瓶頸的應用面臨的關鍵存儲器訪問挑戰，例如網絡表搜索、緩沖、8k 視頻、安全和防火墻、統計信息、異常檢測、AI、物聯網和基因組學。
該四分區速率存儲器是專門為支持下一代低延遲高速超高帶寬隨機存取存儲器應用而設計的。這些 QPR 器件具有 576 Mb 和 1 Gb 的內存，提供了最常見 QDR SRAM 器件 4 倍和 8 倍的容量。
每個 QUAZAR SRAM 器件都有兩種用戶可選擇的運行模式。該模式確定器件上有多少個可用的獨立隨機存取 SRAM。
深度模式具有四個獨立的 SRAM 寬度模式具有八個獨立的 SRAM這些器件還與 MoSys 的 BLAZAR 系列 Bandwidth Engine 器件引腳兼容。QUAZAR SRAM 存儲器通過直接連接到Xilinx和IntelFPGA 來支持 FPGA 加速。QPR4 器件采用 19 mm x 19 mm FCBGA 封裝，而 QPR8 器件則采用 27 mm x 27 mm FCBGA 封裝。
特性 單個器件替代多個 QDR 部件 4x 至 8x QDR 容量 QPR4：576 Mb 內存 QPR8：1 Gb 內存 帶寬最高 640 Gb/s 不到相似 QDR 內存配置一半或四分之一實現接近 QDR 的性能 tRC 為 2.6 ns 和 3.2 ns 僅需 32 個引腳即可連接到 FPGA，從而簡化了板卡信號通路 高效的串行協議 直接連接 Intel (Altera) 和 Xilinx FPGA MoSys 提供的 FPGA RTL 存儲控制器 字寬最高 x576b 最高每秒 30 億 (QPR4) 和 50 億 (QPR8) 次處理數 兩個用于隨機訪問的串行 I/O 端口（A 和 B） 每個 I/O 端口四個獨立的分區 每個分區都充當獨立的訪問 SRAM 提供 19mm x 19mm FCBGA (QPR4) 和27mm x 27mm FCBGA (QPR8) 封裝 應用 QDR 的理想替代品 Xilinx 和 Intel FPGA 加速 需要更高容量的慢速應用程序，目前使用 SyncSRAM 的單個設備 大容量高速 SRAM 8k 視頻 安全與防火墻 資源 QUAZAR QPR4 576 Mb 產品簡介 QUAZAR QPR8 1 Gb 產品簡介 QUAZAR QPR 架構白皮書
