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IPW60R099P7XKSA1

發布時間:2022/1/18 10:49:00 訪問次數:81

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 31 A
Rds On-漏源導通電阻: 77 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 45 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 117 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
系列: CoolMOS P7
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 89 ns
典型接通延遲時間: 23 ns
零件號別名: IPW60R099P7 SP001647038
單位重量: 6 g

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TPS560200DBVR TI
TPS5602IDBT TI
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TPS56100PWP TI
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TPS56302PWP TI
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TPS563200DDCR TI
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TPS564201DDCR TI
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