DK5V45R10，全新原裝.當天發貨或門市自取，如需了解更多產品信息聯系我們.零七五五.八二七三二二九一企鵝:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

常備現貨：

NVPP2440H
NVP1208
NVP6021
NVP1108B

DK5V45R10是同步。芯片內部集成了45V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取代或替換目前市場上等規的肖特基整流二級管。

產品特點：

支持DCM和QR模式反激系統。
內置10mΩ45V功率NMOS管。
特有的自供電技術，無需外部供電電源。
自檢測開通關斷，無需外部同步信號。
可直接替換肖特基管。

應用領域

反激電源轉換器
反激電源適配器

自供電
DK5V45R10內置儲能電容和自供電線路，可以實現芯片和功率MOS管驅動需求，無需外接電源。
啟動
在上電時，通過自供電線路，給VCC供電，VCC電壓逐漸上升。在VCC電壓低于啟動電壓VCC_on時，內置功率MOS管關閉，依靠功率MOS管寄生體二極管導電。當VCC電壓大于VCC_on時，結束啟動狀態。當VCC電壓降低到復位電壓VCC_uvlo以下時，芯片重新進入啟動狀態。
功率MOS控制
當檢測到P、N端正向導通電壓大于開通電壓Von時，則打開功率MOS管；當檢測到流
過功率MOS管的電流逐漸減小到0時，即P、N端正向導通電壓為零時，則關閉功率MOS管。
緩沖電容電阻
在啟動、輸出短路、輸入電壓過高,CCM模式等容易在二極管體產生尖峰電壓，為防止內置功率MOS管過壓擊穿，可以在A和K之間接入RC吸收電路，以減小N點的尖峰電壓。
導通內阻：
在工作過程中，隨著溫度升高，內阻值會增大，效率會降低，適當的增加散熱面積，降低IC的工作溫度

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