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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-262-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 215 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 14 ns
高度: 9.45 mm
長度: 10.2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 32 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 4.5 mm
單位重量: 2.387 g

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