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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: GaN
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導通電阻: 240 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 128 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 22 ns
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 30 ns
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 8.9 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: SPP15P10PGXK
單位重量: 2 g
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WR506170A1002J5100 VISHAY/威世
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WSC25153R010FEA VISHAY/威世
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WSF4527-402R-1%-R86 VISHAY/威世
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WR404140A1008J4100 VISHAY/威世
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WSC4527400R0FEA VISHAY/威世
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WSC4527R1000FEA VISHAY/威世