WS2811，全新原裝.當天發貨或門市自取，如需了解更多產品信息聯系我們.零七五五.八二七三二二九一企鵝:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

WS2811 WS2811是三通道LED驅動控制專用電路，芯片內部包含了智能數字接口數據鎖存信號整形放大驅動電路， 還包含有高精度的內部振蕩器和12V高壓可編程定電流輸出驅動器。 同時，為了降低電源紋波，3個通道有一定 的延時導通功能，這樣在幀刷新時，可降低電路紋波。 芯片采用單線歸零碼的通訊方式，芯片在上電復位以后，DIN端接受從控制器傳輸過來的數據，首先送過來 的24bit數據被第一個芯片提取后，送到芯片內部的數據鎖存器，剩余的數據經過內部整形處理電路整形放大后通 過DO端口開始轉發輸出給下一個級聯的芯片，每經過一個芯片的傳輸，信號減少24bit。芯片采用自動整形轉發 技術，使得該芯片的級聯個數不受信號傳送的限制，僅僅受限信號傳輸速度要求。 芯片內部的數據鎖存器根據接受到的24bit數據，在OUTR、OUTG、OUTB控制端產生不同的占空比控制信 號， 等待DIN端輸入RESET信號時，所有芯片同步將接收到的數據送到各個段，芯片將在該信號結束后重新接 收的數據，在接收完開始的24bit數據后，通過DO口轉發數據口，芯片在沒有接收到RESET碼前，OUTR、OUTG、 OUTB管腳原輸出保持不變，當接受到280μs以上低電平RESET碼后，芯片將剛才接收到的24bit PWM數據脈寬 輸出到OUTR、OUTG、OUTB引腳上。

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MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
一、結型場效應管（JFET）
1.結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。
結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。
2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
二、絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

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