WS2812B，全新原裝.當天發貨或門市自取，如需了解更多產品信息聯系我們.零七五五.八二七三二二九一企鵝:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

還供應：

WS2812B是一個集控制電路與發光電路于一體的智能外控LED光源。其外型與一個5050LED燈珠相同，每個 元件即為一個像素點。像素點內部包含了智能數字接口數據鎖存信號整形放大驅動電路，還包含有高精度的內部 振蕩器和可編程定電流控制部分，有效保證了像素點光的顏色高度一致。 數據協議采用單線歸零碼的通訊方式，像素點在上電復位以后，DIN端接受從控制器傳輸過來的數據，首先 送過來的24bit數據被第一個像素點提取后，送到像素點內部的數據鎖存器，剩余的數據經過內部整形處理電路整 形放大后通過DO端口開始轉發輸出給下一個級聯的像素點，每經過一個像素點的傳輸，信號減少24bit。像素點 采用自動整形轉發技術，使得該像素點的級聯個數不受信號傳送的限制，僅受限信號傳輸速度要求。 高達 2KHz 的端口掃描頻率，在高清攝像頭的捕捉下都不會出現閃爍現象，非常適合高速移動產品的使用。 280μs以上的RESET時間，出現中斷也不會引起誤復位，可以支持更低頻率、價格便宜的MCU。 LED具有低電壓驅動、環保節能、亮度高、散射角度大、一致性好超、低功率及超長壽命等優點。將控制電 路集成于LED上面，電路變得更加簡單，體積小，安裝更加簡便。

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HM1-7681-5
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HM1-7621-5
G186A
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7MBR50SA(SB)120 QM75DY-H PK(PK)40F120/160 SKD82/12 VI-JNK-EY CM200DY-24A CM300DY-24A VI-J2D-CY
7MBR50SA060 QM75DY-HB 110F/120/160 SKT130 VI-JNK-IY CM200DY-24NF VI-J2D-EY
7MBR50SA120 QM75E2Y-2H 160F120/160 SKKT132/12E VI-24M-CU CM20MDL-12H CM30MDL-12H VI-J2D-IY
7MBR50SA-120 QM75E2Y-H 200HB120/160 SKKT132/16E VI-24M-EU CM300DY-12H CM300DY-24H VI-JNM-CW
7MBR50SB060 QM75E3Y-2H 250HB120/160 SKKH131/12E VI-24M-IU CM300DY-12NF VI-JNM-EW
7MBR50SB120 QM75E3Y-H 55F120/160 SKM150GB124D VI-2TZ-CW FM50DY-9 VI-JNM-IW
7MBR50SD120 QM75HA-H 70F120/160 SKM150GB125D VI-2TZ-EW CM300DY-12NF CM300DY-24NF VI-2NM-CU
2DI50A-140 QM75TF-HB 90F/120/160 SKD82/16 VI-2TZ-IW FM50DZ-10 VI-2NM-EU
2DI50Z-140 CM1000DU-34NF IRKT(H)135 SKKD15/12 VI-25R-CY CM300DY-24NF VI-2NM-IU
2MBI50P-140 CM1000HA-24H IRKT(H)141 SKKE15/16 VI-25R-EY CM300HA-12H CM300DY-24H VI-BNL-CV

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
一、結型場效應管（JFET）
1.結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。
結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。
2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
二、絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

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SS8050-Y1， SS8550-Y2
S8050-J3Y，S8550-2TY
5551-G1 ，5401-2L

LM385/LM236/LM311/LM336/LM258/LM285/LM224/LM567/LM1881…PC/BPC/JC817/OB2263/OB2269/FQPF2N60C/LM1875/BISS0001/KA3525//KA3524/LM833/cs4334/LP3211P/LP3211B6F
PCF8563T/PT2399/CD4020/CD4011/TC4011/LM2903/LM2904/LM2901/LM2902等

2300 ，2301，2302， 2305 ，3400， 3401
7N65 ，10N65 ，12N65 ，20N65， 13N50，18N50，25N50
C945-CR ，3904-1AM ，9014-J6
T4，S4， SLSOD123（SOD-123/323/523）

SI2300SI2301SI2302SI2305SI2310SI2312SI2317SI2318
AO3400AO3401AO3402AO3406AO3407AO3415AO3416
RB521S/CS-30 ，（SOD-523/923）
MB6F， MB10F，MB6S ，MB10S

AO4402AO4403AO4406AO4407AO4435AO4606AO4614
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