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B2090
B2090
MMBD2836LT1 貼片三極管
H5120NL
MV2105 變容二極管
D7266
D7266L
Q22MA4061064002
Q22MA4061064000
Q22MA4061064003
Q22MA4061064004
Q22MA4061064005
Q22MA4061064007
Q22MA4061064006
Q22MA4061027700
CT-6TW
TS271C
X5045
X5043
LM317
LM317T
LM317T
LM317T
LM317LD
LM317BT
LM317LMX
LM317LMX
LM317LDR2
IS61C256 內存芯片
IS61C256AH-15J
IS61C256AH-15T
IS61C256AH-12N
IS61C256AH-12T
IS61C256AH-12/15J
SCN68681E1A44 其他三極管
MUA5-48S2
MUA5-48S1
MUA5-48D3
B2409LS-1W
Prime2
Prime1
PrimePell
TC4W53F
TC4W53F/TOS
M5M51008AFP-15VLL
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R18101DB-U
R18101DA-LC
SC16C550IN
HD-053
M27128-2F1
BX2512J
BX2512J
ZL-1012
ZL-1012
ZL-1002S
ZL-1013S
ZL-1022S
ZL-1026S
ZL-1024S
ZL-1026S
ZL-1002S
ZL-1001-1
VIPER22ADIP
M6102MB
DCT-7042
PRJ-201
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T1094NL
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XF6003
XF6003A
XF6003A
A10128DF
Z0107MA 1AA2
IRF840 其他IC
LM311N
H20201DK
H20201DL
HX5020NL
BX2460
BX2460
HX5020NL 存儲IC
H1093NL
H1093NL
H1093NL
KA1H0565R 其他三極管
N6125DA
HST-0041SR
HST-0041SAR
93LC46G
HST-0041
HST-0041S
HST-0042S
HST-0041S

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
一、結型場效應管（JFET）
1.結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。
結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。
2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
二、絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

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S8050-J3Y，S8550-2TY
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2300 ，2301，2302， 2305 ，3400， 3401
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AO4402AO4403AO4406AO4407AO4435AO4606AO4614
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