MP707CSA，全新原裝.當天發貨或門市自取，如需了解更多產品信息聯系我們.零七五五.八二七三二二九一企鵝:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

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SN74LVC244APWR 邏輯IC
SGM8582XS8G
SP706REN
TM1668
SPC563M64L5
DW1000
PCM5100APWR 工控元件
SC4215ASTRT
NCP5911MNTBG
IMP707CSA 內存芯片
TOP257YN 電源IC
MP1580HS-LF-Z
NCL30000DR2G 驅動IC
ADM213EARSZ-REEL
FP6293XR-G1
MCP6232-E/SN
AD8616ARMZ
CBM2092
SN74LVC244APWR 邏輯IC
STM32F302RCT6 IC
H8YCZ0CI0MAR-3DD-C 內存芯片
IMP809LEUR/T 貼片二極管
ACM7060-701-2PL-TL01
AD8651ARZ-REEL7 放大器
SN74LVC2G32DCUR 器件和集成電路專用設備
F1205S-2WR2 電源模塊
AT24C08N
AT24C02B
AT24C08BN
AT24C512BN
AT24C02N-10SI-1.8
WJLXT972ALCA4
AT26DF081A-SU 內存芯片
SC16IS752IBS 存儲IC
SSL21083T/1
L297D
SIM800C
AIC1526-OCS 內存芯片
TLE5012BE1000 接口IC
SN74LVC1T45DBVR 邏輯IC
LBAV99LT1G 開關二極管
74HC541PW
CJ79L15 貼片三極管
TPD1E10B06DPYR
RT9271PE
RT9271PE
A4982SETTR 霍爾開關
AS1712A-AQFT 內存芯片
AS1138
AS179-92
AS1360-3.3
AS1360-5.0
AD7938BSUZ
MS621FE-FL11E
EPCS4SI8N
CXA2206N-T4
IMP811MEUS-T 工控元件
MAX811TEUS+T
NE556N 邏輯IC
MAX3160EAP+T
SN74AHC04DR 邏輯IC
SN74AHC1G32DBVR
SN74AHC1G125DCKR

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知多嘀

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原裝、散新、翻新芯片的區別

集成電路芯片是電子產品組成中重要的一部分，在電子設備系統中電源管理ic擔負起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責的芯片,主要負責識別CPU供電幅值，產生相應的短矩波，推動后級電路進行功率輸出，在銷售集成電路芯片的時候我們總會遇到一些客戶問我們一些關于集成電路IC原裝、散新和翻新之間的區別分,下面銀聯寶電子為大家簡單的講解一下。
1 、原裝貨：是指原廠生產出來的，分進口原裝和國產原裝。
2 、散新貨：散新這個詞，主要用在IC芯片的方面，意思主要有以下幾種：
一、這個貨不是原廠生產出來的，可能是其他廠家生產的，但是打著原廠牌子，也就是貼牌假貨，供應商稱之為散新、或原裝貨來蒙人。
二、貨是原廠生產的，因為是一些不合格的料造成產品達不到標準，但功能還是可以的，這時候原廠就會降價，通過其他渠道處理掉。銷售商進過來之后，稱之為散新。
三、原廠生產的，使用過了，經過打磨，鍍錫，把腳擦涼一系列處理之后，外觀看起來不錯，拿出來出售，也叫做散新，但實際上是翻新的。
3 、翻新貨:指產品從原廠生產出來以后，經過使用，有了一定的磨損，性能各方面跟原廠剛生產出來的時候有差距，經過特殊的加工，是它的外表或者性能恢復到接近原廠剛生產出來的狀態，叫做翻新。
4、舊貨拆機件:原廠生產出來的，已經使用過的，從電路板上拆下來的。沒有經過洗角處理的。
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MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
一、結型場效應管（JFET）
1.結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。
結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。
2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
二、絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

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PCF8563T/PT2399/CD4020/CD4011/TC4011/LM2903/LM2904/LM2901/LM2902等

2300 ，2301，2302， 2305 ，3400， 3401
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C945-CR ，3904-1AM ，9014-J6
T4，S4， SLSOD123（SOD-123/323/523）

SI2300SI2301SI2302SI2305SI2310SI2312SI2317SI2318
AO3400AO3401AO3402AO3406AO3407AO3415AO3416
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