描述:IPA60R120P7
優化的超級結 MOSFET 兼具高能效和易用性
600V CoolMOS P7 超級結 MOSFET 是 600V CoolMOS P6 系列的后繼產品。它繼續在設計過程中平衡對高效率的需求和易用性。 CoolMOS 第 7 代平臺一流的 RonxA 和固有的低柵極電荷 (QG) 確保了其高效率。
功能概要:IPA60R120P7
效率
600V P7 可實現出色的 FOM RDS(on)xEoss 和 RDS(on)xQG
便于使用
ESD 耐受性≥ 2kV(HBM 2 級)
集成柵極電阻 RG
堅固的體二極管
廣泛的通孔和表面貼裝封裝產品組合
提供標準級和工業級零件
好處:IPA60R120P7
效率
出色的 FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss 可實現更高的效率
便于使用
通過阻止 ESD 故障的發生,在制造環境中易于使用
集成 RG 降低了 MOSFET 振蕩靈敏度
MOSFET 適用于硬開關拓撲和諧振開關拓撲,例如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓撲中看到的體二極管硬換向期間具有出色的堅固性
適用于各種終端應用和輸出功率
提供適用于消費和工業應用的部件
潛在應用:IPA60R120P7
電視電源
工業開關電源
服務器
電信
燈光
產品屬性:IPA60R120P7
類型描述選擇
類別 分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS P7
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 26A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 120 毫歐 @ 8.2A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4V @ 410μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 1544 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 28W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
基本產品編號 IPA60R120P7