產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 7.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 850 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
開發套件: STEVAL-ISC002V1
下降時間: 22 ns
正向跨導 - 最小值: 5.3 S
高度: 9.3 mm
長度: 10.4 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
系列: STP9NK50ZFP
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel MOSFET
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
寬度: 4.6 mm
單位重量: 2 g

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

SQ3418EEV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3418EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3419EEV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY/威世
SQ3419EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3425EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3426EEV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3426EV-T1_GE3 VISHAY/威世
SQ3426EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY/威世
SQ3427EEV-T1-E3 VISHAY/威世
SQ3427EEV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY/威世
SQ3427EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3442EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3456BES-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3456BEV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3456EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3457EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3460EV-T1_GE3 VISHAY/威世
SQ3460EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3469EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3481EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3585EV-T1_GE3 VISHAY/威世
SQ3585EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SQ3987EV-T1-GE3 VISHAY/威世
SI2306DS-T1-GE VISHAY/威世
SI2306DS-T1-GE3 VISHAY/威世
SI2307 VISHAY/威世
SI2307BDS VISHAY/威世
SI2307BDS-T1 VISHAY/威世
SI2307BDS-T1-E3 VISHAY/威世
SI2307BDS-T1-GE3 VISHAY/威世
Si2307CDS VISHAY/威世
SI2307CDS-T1 VISHAY/威世
SI2307CDS-T1-E3 VISHAY/威世
SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY/威世
SI2307DL-T1-E3 VISHAY/威世
SI2307DS-T1 VISHAY/威世
SI2307DS-T1-E3 VISHAY/威世
SI2307DS-T1-GE3 VISHAY/威世
SI2308 VISHAY/威世
SI2308ADS-T1-E3 VISHAY/威世
SI2308ADS-T1-GE3 VISHAY/威世
SI2308BDS-T1-E3 VISHAY/威世
SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY/威世
SI2308BDS-TI-GE3 VISHAY/威世
Si2308CDS VISHAY/威世
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY/威世
Si2308DS VISHAY/威世