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STFW3N150

發布時間:2022/3/8 10:36:00 訪問次數:183


產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PF-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 9 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 29.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標名: PowerMESH
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 61 ns
正向跨導 - 最小值: 2.6 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 47 ns
系列: STFW3N150
300
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 24 ns
單位重量: 7 g

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SS12HE3_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION

SS12HE3_B/H VISHAY/威世
SS12P2LHM3/86A VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS12P2L-M3/86A VISHAY/威世
SS12P3LHM3/86A VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS12P3L-M3/86A VISHAY/威世
SS12P4CHM3_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS12P4C-M3/86A VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS12P4S-M3/86A VISHAY/威世
SS12P4S-M3/87A VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS13/11 VISHAY/威世
SS13/11T VISHAY/威世
SS13/13T VISHAY/威世
SS13-E3/2G VISHAY/威世
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SS13HE3/61T VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS13HE3_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS13HE3_B/H VISHAY/威世
SS14-13 VISHAY/威世
SS14-61HE3J_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
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SS14-E3/5AT VISHAY/威世
SS14-E3/61T VISHAY/威世
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SS14HE3/61T VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS14HE3_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
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SS14-M3/61T VISHAY/威世
SS15-E3/61T VISHAY/威世
SS15HE3/5AT VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS15HE3_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS15HE3_A/I VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS15P3S-M3/86A VISHAY/威世
SS15P4S-M3/86A VISHAY/威世
SS16/1 VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS16-004HE3/5AT VISHAY/威世
SS16-004HE3_A/I VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS16-E3/5AT VISHAY/威世
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SS16HE3/5AT VISHAY/威世
SS16HE3/61T VISHAY/威世
SS16HE3_A/H VISHAYSEMICONDUCTORDIODESDIVISION
SS16HE3_A/I VISHAY/威世
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SS16HE3_B/I VISHAY/威世
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