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制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: STGP19NC60KD
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
集電極最大連續電流 Ic: 35 A
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
寬度: 4.6 mm
單位重量: 6 g

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